PMV52ENEAR
MOSFET N-CH 30V 3.2A TO236AB
Número da pe?a NOVA:
312-2284521-PMV52ENEAR
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
PMV52ENEAR
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 30 V 3.2A (Ta) 630mW (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount TO-236AB
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-236AB | |
| Número do produto base | PMV52 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 3.2A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.3 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 100 pF @ 15 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 630mW (Ta), 5.7W (Tc) | |
| Outros nomes | 1727-8666-2 1727-8666-1 934661153215 1727-8666-6 |
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