TK4R3E06PL,S1X
MOSFET N-CH 60V 80A TO220
Número da pe?a NOVA:
312-2292119-TK4R3E06PL,S1X
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TK4R3E06PL,S1X
Embalagem padr?o:
50
Ficha técnica:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-220 | |
| Número do produto base | TK4R3E06 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | U-MOSIX-H | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 15A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 48.2 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-220-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3280 pF @ 30 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 87W (Tc) | |
| Outros nomes | TK4R3E06PLS1X TK4R3E06PL,S1X(S |
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