DMT10H010LSS-13
MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO
Número da pe?a NOVA:
312-2290248-DMT10H010LSS-13
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
DMT10H010LSS-13
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 11.5A (Ta), 29.5A (Tc) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SO
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-SO | |
| Número do produto base | DMT10 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 11.5A (Ta), 29.5A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 13A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.4W (Ta) | |
| Outros nomes | DMT10H010LSS-13DITR DMT10H010LSS-13-ND DMT10H010LSS-13DIDKR DMT10H010LSS-13DICT |
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