NVBG080N120SC1
SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Número da pe?a NOVA:
312-2289868-NVBG080N120SC1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
NVBG080N120SC1
Embalagem padr?o:
800
Ficha técnica:
N-Channel 1200 V 30A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | D2PAK-7 | |
| Número do produto base | NVBG080 | |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 30A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 20A, 20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 5mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 20 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| Vgs (Máx.) | +25V, -15V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1154 pF @ 800 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 179W (Tc) | |
| Outros nomes | 488-NVBG080N120SC1CT 488-NVBG080N120SC1TR 488-NVBG080N120SC1DKR |
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