IPD65R1K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO252-3
Número da pe?a NOVA:
312-2301218-IPD65R1K0CEAUMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IPD65R1K0CEAUMA1
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 650 V 7.2A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO252-3 | |
| Número do produto base | IPD65R1 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | CoolMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 7.2A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 1.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15.3 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | Super Junction | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 650 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 328 pF @ 100 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 68W (Tc) | |
| Outros nomes | SP001421368 |
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