IRF3708PBF

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.mst-lazy {display:none;}

HEXFET SMPS POWER MOSFET

Número da pe?a NOVA:

312-2276086-IRF3708PBF

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IRF3708PBF

Embalagem padr?o:

Ficha técnica:

N-Channel 30 V 62A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	International Rectifier
RoHS	1
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-220AB
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	HEXFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	62A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 4.5 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-220-3
Vgs (Máx.)	±12V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	30 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2417 pF @ 15 V
Dissipação de energia (máx.)	87W (Tc)
Outros nomes	2156-IRF3708PBF IFEINFIRF3708PBF