NTBG020N090SC1
SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Número da pe?a NOVA:
312-2265020-NTBG020N090SC1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
NTBG020N090SC1
Embalagem padr?o:
800
Ficha técnica:
N-Channel 900 V 9.8A (Ta), 112A (Tc) 3.7W (Ta), 477W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | D2PAK-7 | |
| Número do produto base | NTBG020 | |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 9.8A (Ta), 112A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 15V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 60A, 15V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 20mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 15 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| Vgs (Máx.) | +19V, -10V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 900 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4415 pF @ 450 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.7W (Ta), 477W (Tc) | |
| Outros nomes | 488-NTBG020N090SC1TR 488-NTBG020N090SC1CT 488-NTBG020N090SC1DKR |
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