SIR401DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8
Número da pe?a NOVA:
312-2285588-SIR401DP-T1-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SIR401DP-T1-GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 20 V 50A (Tc) 5W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerPAK® SO-8 | |
| Número do produto base | SIR401 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 310 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (Máx.) | ±12V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9080 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 5W (Ta), 39W (Tc) | |
| Outros nomes | SIR401DP-T1-GE3-ND SIR401DP-T1-GE3TR SIR401DP-T1-GE3DKR SIR401DP-T1-GE3CT |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
JS203011JAQNC&K
LMH6646MAX/NOPBTexas Instruments
SI7633DP-T1-GE3Vishay Siliconix
NX3008PBK,215Nexperia USA Inc.- SI7143DP-T1-GE3Vishay Siliconix
- SIR800ADP-T1-RE3Vishay Siliconix
MIC7211YM5-TRMicrochip Technology
TPH1R712MD,L1QToshiba Semiconductor and Storage
150060BS55040Würth Elektronik
REF3430IDBVRTexas Instruments- SI7137DP-T1-GE3Vishay Siliconix
EXB-2HV510JVPanasonic Electronic Components
