TK90S06N1L,LXHQ
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Número da pe?a NOVA:
312-2288055-TK90S06N1L,LXHQ
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TK90S06N1L,LXHQ
Embalagem padr?o:
2,000
Ficha técnica:
N-Channel 60 V 90A (Ta) 157W (Tc) Surface Mount DPAK+
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 175°C | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | DPAK+ | |
| Número do produto base | TK90S06 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | U-MOSVIII-H | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 90A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 45A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 81 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5400 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 157W (Tc) | |
| Outros nomes | 264-TK90S06N1LLXHQCT 264-TK90S06N1LLXHQDKR TK90S06N1L,LXHQ(O 264-TK90S06N1LLXHQTR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
TK90S06N1L,LQToshiba Semiconductor and Storage