SIDR220EP-T1-RE3

N-CHANNEL 25 V (D-S) 175C MOSFET
Número da pe?a NOVA:
312-2269457-SIDR220EP-T1-RE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SIDR220EP-T1-RE3
Embalagem padr?o:
3,000

N-Channel 25 V 92.8A (Ta), 415A (Tc) 6.25W (Ta), 415W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteVishay Siliconix
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor PowerPAK® SO-8DC
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesTrenchFET® Gen IV
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 92.8A (Ta), 415A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.58mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoPowerPAK® SO-8
Vgs (Máx.)+16V, -12V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)25 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 10850 pF @ 10 V
Dissipação de energia (máx.) 6.25W (Ta), 415W (Tc)
Outros nomes742-SIDR220EP-T1-RE3TR
742-SIDR220EP-T1-RE3DKR
742-SIDR220EP-T1-RE3CT

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