SIS862ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
Número da pe?a NOVA:
312-2285465-SIS862ADN-T1-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SIS862ADN-T1-GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 60 V 15.8A (Ta), 52A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerPAK® 1212-8 | |
| Número do produto base | SIS862 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® Gen IV | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 15.8A (Ta), 52A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | PowerPAK® 1212-8 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1235 pF @ 30 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.6W (Ta), 39W (Tc) | |
| Outros nomes | SIS862ADN-T1-GE3CT SIS862ADN-T1-GE3TR SIS862ADN-T1-GE3DKR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
NTTFS5C673NLTAGonsemi
SIS862DN-T1-GE3Vishay Siliconix
US3200005ZDiodes Incorporated- SIS178LDN-T1-GE3Vishay Siliconix
A3918SESTR-TAllegro MicroSystems
