SIR681DP-T1-RE3
MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
Número da pe?a NOVA:
312-2282444-SIR681DP-T1-RE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SIR681DP-T1-RE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 80 V 17.6A (Ta), 71.9A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerPAK® SO-8 | |
| Número do produto base | SIR681 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® Gen IV | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 17.6A (Ta), 71.9A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.2mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 80 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4850 pF @ 40 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | |
| Outros nomes | 742-SIR681DP-T1-RE3CT 742-SIR681DP-T1-RE3TR 742-SIR681DP-T1-RE3DKR |
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