PMV50UPE,215
MOSFET P-CH 20V 3.2A TO236AB
Número da pe?a NOVA:
312-2284524-PMV50UPE,215
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
PMV50UPE,215
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 20 V 3.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount TO-236AB
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-236AB | |
| Número do produto base | PMV50 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 66mOhm @ 3.2A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15.7 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 24 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 500mW (Ta) | |
| Outros nomes | 568-10836-2 568-10836-2-ND 568-10836-1 1727-1377-1 1727-1377-2 568-10836-6 1727-1377-6 PMV50UPE,215-ND 934067139215 568-10836-6-ND 568-10836-1-ND |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
- JS202011CQNC&K
- SI2301-3AMDD
- CY15B128Q-SXATCypress Semiconductor Corp
- FDN340Ponsemi
- NXV40UNRNexperia USA Inc.
- SI3415-TPMicro Commercial Co
- RQ5C035BCTCLRohm Semiconductor
- SI2323DS-T1-E3Vishay Siliconix
- AO3419Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- FDG6303Nonsemi
- EM6K34T2CRRohm Semiconductor









