TK31V60X,LQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Número da pe?a NOVA:
312-2283324-TK31V60X,LQ
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TK31V60X,LQ
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 240W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 4-DFN-EP (8x8) | |
| Número do produto base | TK31V60 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | DTMOSIV-H | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 30.8A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98mOhm @ 9.4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.5mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | Super Junction | |
| Pacote / Estojo | 4-VSFN Exposed Pad | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 600 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 300 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 240W (Tc) | |
| Outros nomes | TK31V60X,LQ(S TK31V60XLQDKR TK31V60XLQCT TK31V60XLQTR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
MIC4416YM4-TRMicrochip Technology
