IXTY08N100D2-TRL
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Número da pe?a NOVA:
312-2304009-IXTY08N100D2-TRL
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IXTY08N100D2-TRL
Embalagem padr?o:
2,500
N-Channel 1000 V 800mA (Tj) 60W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-252AA | |
| Número do produto base | IXTY08 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Depletion | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 800mA (Tj) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 0V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21Ohm @ 400mA, 0V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 25µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14.6 nC @ 5 V | |
| Recurso FET | Depletion Mode | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1000 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 325 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 60W (Tc) | |
| Outros nomes | 238-IXTY08N100D2-TRLTR |
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