RQ6C050BCTCR
MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6
Número da pe?a NOVA:
312-2276817-RQ6C050BCTCR
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
RQ6C050BCTCR
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 20 V 5A (Tc) 1.25W (Tc) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TSMT6 (SC-95) | |
| Número do produto base | RQ6C050 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 5A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 740 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.25W (Tc) | |
| Outros nomes | RQ6C050BCTCRDKR RQ6C050BCTCRTR RQ6C050BCTCRCT |
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