IPN50R650CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
Número da pe?a NOVA:
312-2285277-IPN50R650CEATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IPN50R650CEATMA1
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 500 V 9A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-SOT223-3 | |
| Número do produto base | IPN50R650 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | CoolMOS™ CE | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 9A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 13V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 1.8A, 13V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 500 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 342 pF @ 100 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 5W (Tc) | |
| Outros nomes | IPN50R650CEATMA1TR IPN50R650CEATMA1-ND SP001434880 INFINFIPN50R650CEATMA1 IPN50R650CEATMA1DKR IPN50R650CEATMA1CT 2156-IPN50R650CEATMA1 |
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