TSM4ND65CI
MOSFET N-CH 650V 4A ITO220
Número da pe?a NOVA:
312-2264279-TSM4ND65CI
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TSM4ND65CI
Embalagem padr?o:
50
Ficha técnica:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 41.6W (Tc) Through Hole ITO-220
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Taiwan Semiconductor Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | ITO-220 | |
| Número do produto base | TSM4 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 4A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6Ohm @ 1.2A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16.8 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 650 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 596 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 41.6W (Tc) | |
| Outros nomes | 1801-TSM4ND65CI TSM4ND65CI-ND TSM4ND65CI RLG TSM4ND65CI C0G |
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