NTMTSC1D6N10MCTXG
MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Número da pe?a NOVA:
312-2298243-NTMTSC1D6N10MCTXG
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
NTMTSC1D6N10MCTXG
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 35A (Ta), 267A (Tc) 5.1W (Ta), 291W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 8-TDFNW (8.3x8.4)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount, Wettable Flank | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-TDFNW (8.3x8.4) | |
| Número do produto base | NTMTSC1 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 35A (Ta), 267A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 90A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 650µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 106 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7630 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 5.1W (Ta), 291W (Tc) | |
| Outros nomes | 488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR 488-NTMTSC1D6N10MCTXGCT 488-NTMTSC1D6N10MCTXGDKR |
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