SI7370DP-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Número da pe?a NOVA:
312-2278807-SI7370DP-T1-E3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SI7370DP-T1-E3
Embalagem padr?o:
3,000

N-Channel 60 V 9.6A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteVishay Siliconix
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor PowerPAK® SO-8
Número do produto base SI7370
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesTrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 9.6A (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoPowerPAK® SO-8
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)60 V
Dissipação de energia (máx.) 1.9W (Ta)
Outros nomesSI7370DP-T1-E3TR
SI7370DP-T1-E3DKR
SI7370DP-T1-E3CT
SI7370DPT1E3

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