BSV236SPH6327XTSA1
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363-6
Número da pe?a NOVA:
312-2280117-BSV236SPH6327XTSA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BSV236SPH6327XTSA1
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 20 V 1.5A (Ta) 560mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-6
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-SOT363-6 | |
| Número do produto base | BSV236 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 1.5A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 1.5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 8µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.7 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| Vgs (Máx.) | ±12V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 228 pF @ 15 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 560mW (Ta) | |
| Outros nomes | BSV236SPH6327XT BSV236SP H6327 SP000917672 BSV236SP H6327TR-ND BSV236SP H6327DKR BSV236SP H6327CT-ND BSV236SPH6327XTSA1CT BSV236SP H6327DKR-ND BSV236SP H6327-ND BSV236SP H6327CT BSV236SPH6327 BSV236SPH6327XTSA1DKR BSV236SPH6327XTSA1TR |
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