DMN2022UFDF-7
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Número da pe?a NOVA:
312-2265230-DMN2022UFDF-7
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
DMN2022UFDF-7
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 20 V 7.9A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | U-DFN2020-6 (Type F) | |
| Número do produto base | DMN2022 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 7.9A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 4A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 8 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 6-UDFN Exposed Pad | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 907 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 660mW (Ta) | |
| Outros nomes | DMN2022UFDF-7DICT DMN2022UFDF-7DITR DMN2022UFDF-7DIDKR |
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