BSZ0804LSATMA1
MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON
Número da pe?a NOVA:
312-2313428-BSZ0804LSATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BSZ0804LSATMA1
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TDSON-8 FL | |
| Número do produto base | BSZ0804 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ 5 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 40A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 36µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) | |
| Outros nomes | SP001648318 448-BSZ0804LSATMA1DKR 448-BSZ0804LSATMA1CT 448-BSZ0804LSATMA1TR |
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