TSM2N60SCW RPG
MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223
Número da pe?a NOVA:
312-2303803-TSM2N60SCW RPG
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TSM2N60SCW RPG
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 600 V 600mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Taiwan Semiconductor Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-223 | |
| Número do produto base | TSM2 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 600mA (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 600mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 600 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 435 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Tc) | |
| Outros nomes | TSM2N60SCW RPGCT-ND TSM2N60SCWRPGTR TSM2N60SCWRPGCT TSM2N60SCW RPGDKR TSM2N60SCWRPGDKR TSM2N60SCW RPGTR TSM2N60SCW RPGCT TSM2N60SCW RPGTR-ND TSM2N60SCW RPGDKR-ND |
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