IXFB30N120P
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
Número da pe?a NOVA:
312-2283961-IXFB30N120P
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IXFB30N120P
Embalagem padr?o:
25
Ficha técnica:
N-Channel 1200 V 30A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS264™
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PLUS264™ | |
| Número do produto base | IXFB30 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | HiPerFET™, Polar | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 30A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 310 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-264-3, TO-264AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 22500 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1250W (Tc) |
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