IXTQ50N20P
MOSFET N-CH 200V 50A TO3P
Número da pe?a NOVA:
312-2271574-IXTQ50N20P
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IXTQ50N20P
Embalagem padr?o:
30
Ficha técnica:
N-Channel 200 V 50A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-3P | |
| Número do produto base | IXTQ50 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Polar | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2720 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 360W (Tc) |
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