SQA403EJ-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 10A PPAK SC70-6
Número da pe?a NOVA:
312-2275890-SQA403EJ-T1_GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQA403EJ-T1_GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 30 V 10A (Tc) 13.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerPAK® SC-70-6 | |
| Número do produto base | SQA403 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 10A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | PowerPAK® SC-70-6 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1880 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 13.6W (Tc) | |
| Outros nomes | SQA403EJ-T1_GE3DKR SQA403EJ-T1_GE3TR SQA403EJ-T1_GE3CT |
In stock Precisa de mais?
0,54730 US$
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
BAV5004LP-7BDiodes Incorporated
TPS25832QWRHBRQ1Texas Instruments
DMN2004WK-7Diodes Incorporated
SML-D12U1WT86Rohm Semiconductor
SIA469DJ-T1-GE3Vishay Siliconix- SIA471DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
RTF025N03FRATLRohm Semiconductor
DMP4047LFDE-7Diodes Incorporated
CSD17507Q5ATexas Instruments
SML-D12P8WT86Rohm Semiconductor