FDN327N
MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Número da pe?a NOVA:
312-2281877-FDN327N
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
FDN327N
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 20 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-23-3 | |
| Número do produto base | FDN327 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | PowerTrench® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 2A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 2A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 423 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 500mW (Ta) | |
| Outros nomes | FDN327N-ND FDN327NCT FDN327NTR FDN327NDKR |
In stock Precisa de mais?
0,06530 US$
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
- NTJD4158CT1Gonsemi
- NTJD1155LT1Gonsemi
- MMSD4148T1Gonsemi
- CPH3456-TL-Wonsemi
- NTJD4105CT2Gonsemi
- NCP380HMUAJAATBGonsemi
- NTJD4152PT1Gonsemi
- NCP380HSN05AAT1Gonsemi
- FDN302Ponsemi
- FDN5630onsemi
- AO3414Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- FDN335Nonsemi
- FDN304Ponsemi
- CSD13201W10Texas Instruments









