BSC042NE7NS3GATMA1

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TDSON-8-1
Número do produto base	BSC042
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	19A (Ta), 100A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 91µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	69 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	75 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4800 pF @ 37.5 V
Dissipação de energia (máx.)	2.5W (Ta), 125W (Tc)
Outros nomes	BSC042NE7NS3 GTR-ND BSC042NE7NS3G 2156-BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1DKR-NDTR-ND BSC042NE7NS3GATMA1TR BSC042NE7NS3 GCT-ND BSC042NE7NS3 G-ND SP000657440 BSC042NE7NS3 GDKR-ND BSC042NE7NS3GATMA1DKR BSC042NE7NS3 G BSC042NE7NS3 GCT BSC042NE7NS3 GDKR BSC042NE7NS3GATMA1CT-NDTR-ND BSC042NE7NS3 GTR BSC042NE7NS3GATMA1CT INFINFBSC042NE7NS3GATMA1