IRL2910STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Número da pe?a NOVA:
312-2283073-IRL2910STRLPBF
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IRL2910STRLPBF
Embalagem padr?o:
800
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 55A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | D2PAK | |
| Número do produto base | IRL2910 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | HEXFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 55A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 29A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±16V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3700 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) | |
| Outros nomes | IRL2910STRLPBFCT IRL2910STRLPBF-ND IRL2910STRLPBFDKR SP001571800 IRL2910STRLPBFTR |
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