BSZ123N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Número da pe?a NOVA:
312-2282223-BSZ123N08NS3GATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BSZ123N08NS3GATMA1
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:
N-Channel 80 V 10A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TSDSON-8 | |
| Número do produto base | BSZ123 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 40A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.3mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 33µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 80 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 40 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.1W (Ta), 66W (Tc) | |
| Outros nomes | BSZ123N08NS3GINCT-ND BSZ123N08NS3GATMA1CT BSZ123N08NS3GINTR-ND BSZ123N08NS3GXT BSZ123N08NS3 G BSZ123N08NS3GINTR BSZ123N08NS3G BSZ123N08NS3GATMA1TR SP000443632 BSZ123N08NS3GINCT BSZ123N08NS3GATMA1DKR BSZ123N08NS3GINDKR-ND BSZ123N08NS3GINDKR |
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