SIHFL9110TR-GE3
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Número da pe?a NOVA:
312-2299364-SIHFL9110TR-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SIHFL9110TR-GE3
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
P-Channel 100 V 1.1A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-223 | |
| Número do produto base | SIHFL9110 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 1.1A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 660mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
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