IPB60R040CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3-2
Número da pe?a NOVA:
312-2263498-IPB60R040CFD7ATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IPB60R040CFD7ATMA1
Embalagem padr?o:
1,000
Ficha técnica:
N-Channel 650 V 50A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO263-3-2 | |
| Número do produto base | IPB60R040 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | CoolMOS™ CFD7 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 24.9A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.25mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 108 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 650 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4351 pF @ 400 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 227W (Tc) | |
| Outros nomes | SP002621056 448-IPB60R040CFD7ATMA1DKR 448-IPB60R040CFD7ATMA1CT 448-IPB60R040CFD7ATMA1TR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
IPB60R055CFD7ATMA1Infineon Technologies
IPT60R045CFD7XTMA1Infineon Technologies
UJ3C065030B3UnitedSiC
MSC035SMA070SMicrochip Technology
MSC015SMA070SMicrochip Technology
IPB60R060C7ATMA1Infineon Technologies
IPB65R041CFD7ATMA1Infineon Technologies- IPB60R040C7ATMA1Infineon Technologies
IPW60R024CFD7XKSA1Infineon Technologies
IPDD60R055CFD7XTMA1Infineon Technologies
PSMN1R7-60BS,118Nexperia USA Inc.- IPB60R045P7ATMA1Infineon Technologies
- UF3C065030B3UnitedSiC
