IPD038N06N3GATMA1

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO252-3
Número do produto base	IPD038
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	90A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 90µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	98 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	60 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	8000 pF @ 30 V
Dissipação de energia (máx.)	188W (Tc)
Outros nomes	IPD038N06N3GATMA1CT 2156-IPD038N06N3GATMA1 SP000397994 IFEINFIPD038N06N3GATMA1 IPD038N06N3GATMA1TR IPD038N06N3GATMA1DKR IPD038N06N3 G IPD038N06N3 G-ND

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