BSC026N02KSGAUMA1

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TDSON-8-1
Número do produto base	BSC026
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	25A (Ta), 100A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 200µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	52.7 nC @ 4.5 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±12V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	20 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7800 pF @ 10 V
Dissipação de energia (máx.)	2.8W (Ta), 78W (Tc)
Outros nomes	BSC026N02KS GDKR-ND BSC026N02KSGAUMA1TR BSC026N02KSGAUMA1DKR SP000379664 BSC026N02KS GCT BSC026N02KS G BSC026N02KSG BSC026N02KS G-ND BSC026N02KS GCT-ND BSC026N02KS GTR BSC026N02KS GTR-ND BSC026N02KS GDKR BSC026N02KSGAUMA1CT 2156-BSC026N02KSGAUMA1 INFINFBSC026N02KSGAUMA1

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