SI7119DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Número da pe?a NOVA:
312-2275011-SI7119DN-T1-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SI7119DN-T1-GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 200 V 3.8A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerPAK® 1212-8 | |
| Número do produto base | SI7119 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 3.8A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 1A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | PowerPAK® 1212-8 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 666 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) | |
| Outros nomes | SI7119DN-T1-GE3CT SI7119DN-T1-GE3DKR SI7119DN-T1-GE3TR SI7119DNT1GE3 |
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