BSC021N08NS5ATMA1

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MOSFET TRENCH 80V TSON-8

Número da pe?a NOVA:

312-2283080-BSC021N08NS5ATMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

BSC021N08NS5ATMA1

Embalagem padr?o:

5,000

N-Channel 80 V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TSON-8-3
Número do produto base	BSC021
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™, StrongIRFET™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 146µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Recurso FET	Standard
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	80 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	8600 pF @ 40 V
Dissipação de energia (máx.)	214W (Tc)
Outros nomes	448-BSC021N08NS5ATMA1TR 448-BSC021N08NS5ATMA1DKR SP001793410 448-BSC021N08NS5ATMA1CT BSC021N08NS5ATMA1-ND