SQW61N65EF-GE3

MOSFET N-CH 650V 62A TO247AD
Número da pe?a NOVA:
312-2272541-SQW61N65EF-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQW61N65EF-GE3
Embalagem padr?o:
480

N-Channel 650 V 62A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-247AD

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteVishay Siliconix
RoHS 1
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor TO-247AD
Número do produto base SQW61
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesAutomotive, AEC-Q101, E
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 344 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoTO-247-3
Vgs (Máx.)±30V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)650 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7379 pF @ 100 V
Dissipação de energia (máx.) 625W (Tc)
Outros nomes742-SQW61N65EF-GE3

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