NVMJS1D5N04CLTWG
MOSFET N-CH 40V 38A/200A 8LFPAK
Número da pe?a NOVA:
312-2272576-NVMJS1D5N04CLTWG
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
NVMJS1D5N04CLTWG
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 40 V 38A (Ta), 200A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-LFPAK | |
| Número do produto base | NVMJS1 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 38A (Ta), 200A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 130µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SOT-1205, 8-LFPAK56 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 40 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4300 pF @ 20 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) | |
| Outros nomes | NVMJS1D5N04CLTWGOS NVMJS1D5N04CLTWGOS-ND NVMJS1D5N04CLTWGOSTR NVMJS1D5N04CLTWGOSCT NVMJS1D5N04CLTWGOSDKR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
- NTMJS1D4N06CLTWGonsemi
- TPH1R204PL1,LQToshiba Semiconductor and Storage
- FDMS015N04BFairchild Semiconductor
- BSC014N04LSATMA1Infineon Technologies




