ISC080N10NM6ATMA1
TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Número da pe?a NOVA:
312-2270776-ISC080N10NM6ATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
ISC080N10NM6ATMA1
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 13A (Ta), 75A (Tc) 3W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TDSON-8 FL | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 75A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.05mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 36µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3W (Ta), 100W (Tc) | |
| Outros nomes | SP005409473 448-ISC080N10NM6ATMA1CT 448-ISC080N10NM6ATMA1DKR 448-ISC080N10NM6ATMA1TR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
ISC027N10NM6ATMA1Infineon Technologies
ISC060N10NM6ATMA1Infineon Technologies
ISC030N10NM6ATMA1Infineon Technologies