SIHP35N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB
Número da pe?a NOVA:
312-2265356-SIHP35N60EF-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SIHP35N60EF-GE3
Embalagem padr?o:
1,000
Ficha técnica:
N-Channel 600 V 32A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-220AB | |
| Número do produto base | SIHP35 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | EF | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 32A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 97mOhm @ 17A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 134 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-220-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 600 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2568 pF @ 100 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 250W (Tc) | |
| Outros nomes | SIHP35N60EF-GE3DKR-ND SIHP35N60EF-GE3DKRINACTIVE SIHP35N60EF-GE3TR SIHP35N60EF-GE3CT SIHP35N60EF-GE3TR-ND SIHP35N60EF-GE3TRINACTIVE SIHP35N60EF-GE3DKR SIHP35N60EF-GE3CT-ND |
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