SQR40020ER_GE3
MOSFET N-CH 40V 100A TO252 REV
Número da pe?a NOVA:
312-2273000-SQR40020ER_GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQR40020ER_GE3
Embalagem padr?o:
2,000
Ficha técnica:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK) Reverse Lead
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-252 (DPAK) Reverse Lead | |
| Número do produto base | SQR40020 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.33mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab) | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 40 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8000 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 107W (Tc) | |
| Outros nomes | SQR40020ER_GE3CT SQR40020ER_GE3DKR SQR40020ER_GE3TR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
TK100S04N1L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage