RS1E350BNTB
MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
Número da pe?a NOVA:
312-2273113-RS1E350BNTB
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
RS1E350BNTB
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 30 V 35A (Ta) 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-HSOP | |
| Número do produto base | RS1E | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 35A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 35A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 185 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7900 pF @ 15 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 35W (Tc) | |
| Outros nomes | RS1E350BNTBTR RS1E350BNTBCT RS1E350BNTBDKR |
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