RF4E080GNTR

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	HUML2020L8
Número do produto base	RF4E080
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	8A (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.6mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	5.8 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerUDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	30 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	295 pF @ 15 V
Dissipação de energia (máx.)	2W (Ta)
Outros nomes	RF4E080GNTRTR RF4E080GNTRDKR RF4E080GNTRCT

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