SQJ407EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Número da pe?a NOVA:
312-2287873-SQJ407EP-T1_GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQJ407EP-T1_GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 30 V 60A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerPAK® SO-8 | |
| Número do produto base | SQJ407 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 60A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 260 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10700 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 68W (Tc) | |
| Outros nomes | SQJ407EP-T1_GE3CT SQJ407EP-T1_GE3TR SQJ407EP-T1_GE3DKR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
STL30P3LLH6STMicroelectronics
1N5819HW-7-FDiodes Incorporated
SI7633DP-T1-GE3Vishay Siliconix- SI7143DP-T1-GE3Vishay Siliconix
IRF9383MTRPBFInfineon Technologies
SQJ409EP-T1_GE3Vishay Siliconix
BSC032N04LSATMA1Infineon Technologies
SQJA37EP-T1_GE3Vishay Siliconix
FDB9503L-F085onsemi
SQJ433EP-T1_GE3Vishay Siliconix- SIR165DP-T1-GE3Vishay Siliconix
AO4425Alpha & Omega Semiconductor Inc.
