RQ3E100ATTB
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
Número da pe?a NOVA:
312-2287789-RQ3E100ATTB
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
RQ3E100ATTB
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 30 V 10A (Ta), 31A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-HSMT (3.2x3) | |
| Número do produto base | RQ3E100 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 31A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 15 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2W (Ta) | |
| Outros nomes | RQ3E100ATTBDKR RQ3E100ATTBCT RQ3E100ATTBTR |
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