PSMN3R3-40YS,115
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Número da pe?a NOVA:
312-2282035-PSMN3R3-40YS,115
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
PSMN3R3-40YS,115
Embalagem padr?o:
1,500
Ficha técnica:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 117W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | LFPAK56, Power-SO8 | |
| Número do produto base | PSMN3R3 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SC-100, SOT-669 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 40 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2754 pF @ 20 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 117W (Tc) | |
| Outros nomes | 934064148115 568-5590-6 568-5590-1 568-5590-2 PSMN3R340YS115 1727-4633-2 1727-4633-1 1727-4633-6 568-5590-6-ND 568-5590-1-ND 568-5590-2-ND |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
- INA233AIDGSTTexas Instruments
- AO3407AAlpha & Omega Semiconductor Inc.
- BZG03C62-M3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- PSMN2R6-40YS,115Nexperia USA Inc.
- BSC0502NSIATMA1Infineon Technologies
- 2N7002,215Nexperia USA Inc.
- LM74800QDRRRQ1Texas Instruments







