CSD19531Q5A
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Número da pe?a NOVA:
312-2281151-CSD19531Q5A
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
CSD19531Q5A
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Texas Instruments | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-VSONP (5x6) | |
| Número do produto base | CSD19531 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | NexFET™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4mOhm @ 16A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3870 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.3W (Ta), 125W (Tc) | |
| Outros nomes | -CSD19531Q5AINACTIVE 296-41232-2 296-41232-1 CSD19531Q5A-ND 296-41232-6 -CSD19531Q5A-NDR |
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