DMT5015LFDF-7
MOSFET N-CH 50V 9.1A 6UDFN
Número da pe?a NOVA:
312-2285214-DMT5015LFDF-7
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
DMT5015LFDF-7
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 50 V 9.1A (Ta) 820mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | U-DFN2020-6 (Type F) | |
| Número do produto base | DMT5015 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 9.1A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 8A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 6-UDFN Exposed Pad | |
| Vgs (Máx.) | ±16V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 50 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 902.7 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 820mW (Ta) | |
| Outros nomes | DMT5015LFDF-7DIDKR DMT5015LFDF-7DICT DMT5015LFDF-7DITR |
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