IPW60R024P7XKSA1

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MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3-41

Número da pe?a NOVA:

312-2289909-IPW60R024P7XKSA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IPW60R024P7XKSA1

Embalagem padr?o:

Ficha técnica:

N-Channel 650 V 101A (Tc) 291W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO247-3-41
Número do produto base	IPW60R024
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	CoolMOS™ P7
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	101A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24mOhm @ 42.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 2.03mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	164 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-247-3
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	650 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7144 pF @ 400 V
Dissipação de energia (máx.)	291W (Tc)
Outros nomes	448-IPW60R024P7XKSA1 SP001866180